浙大网新进军物联网产业亮相中国物联网大会

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图6CsPbBr3 QD基LEM的光电特性和相应的离子迁移过程a）当扫描周期包括正(0V→+8V→0V)和负(0V→−8V→0V)电压扫描时，联网LEM的EL强度(上)和I-V特性(下)的变化b）(I)-(IV)区域中离子迁移示意图。因此，网新物联网产迫切需要一种基于特定材料的新型LEM结构，促进光子系统和电阻开关之间的无缝集成，以克服这些挑战。

进军c）采用两种不同尺寸的CsPbBr3 QD的双色发光全钙钛矿LEM的EL光谱。b）扫描电压范围为0V→8V→0V时钙钛矿LEC的I-V特性，业亮图中可见明显的迟滞效应。